MRF6V10010NR4

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

E

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Guadagno:

25 dB

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PLD-1.5

Confezione:

Bobina

Configurazione:

Singola doppia sorgente

Altezza:

1.83 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Frequenza operativa:

960 MHz to 1400 MHz

Serie:

MRF6V10010N

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Larghezza:

5.97 mm

Marca:

NXP / Freescale

Modalità canale:

Aumento

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

100

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 6 V, 10 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.7 V

Parte # Alias:

935321297531

Unità di peso:

0.009877 oz

Tags

MRF6V10, MRF6V1, MRF6V, MRF6, MRF