VN2210N2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

T

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-39-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

350 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

6 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Massa

Altezza:

6.6 mm

Lunghezza:

9.4 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

FET

Larghezza:

9.4 mm

Marca:

Tecnologia a microchip

Tempo di caduta:

30 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

50 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns

Unità di peso:

0.039133 oz

Tags

VN2210N, VN2210, VN221, VN22, VN2