TSM60N1R4CH

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Taiwan Semiconduttore

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-251-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

880 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Qg - Carica cancello:

7.7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

38 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Taiwan Semiconduttore

Tempo di caduta:

20 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

22 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1875

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

24 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

14 ns

Parte # Alias:

C5G TSM60N1R4CH

Unità di peso:

0.011993 oz

Tags

TSM60N1, TSM60N, TSM60, TSM6, TSM