MJD18002D2T4G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

450 V

Collettore-tensione di base VCBO:

1 kV

Emettitore-tensione di base VEBO:

11 V

Corrente massima del collettore CC:

2 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

13 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Altezza:

2.38 mm (Max)

Lunghezza:

6.73 mm (Max)

Confezione:

Bobina

Larghezza:

6.22 mm (Max)

Marca:

ON Semiconductor

Guadagno base/collettore DC hfe min:

14

Pd - Dissipazione di potenza:

50000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Tags

MJD18, MJD1, MJD