PBSS4160DSH

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSOP-6

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

60 V

Collettore-tensione di base VCBO:

80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

200 mV

Corrente massima del collettore CC:

2 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

220 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

500 at 1 mA, 5 V

Confezione:

Bobina

Marca:

Nexperia

Corrente continua del collettore:

1 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

250 at 1 mA, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

700 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000705 oz

Tags

PBSS4160DS, PBSS4160D, PBSS416, PBSS41, PBSS4, PBSS, PBS