SI4554DY-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

24 mOhms, 27 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V, 1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

13.3 nC, 41.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

3.1 W, 3.2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Serie:

SI4

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

25 S, 27 S

Tempo di caduta:

7 ns, 13 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9 ns, 10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

16 ns, 50 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5 ns, 10 ns

Unità di peso:

0.017870 oz

Tags

SI4554, SI455, SI45, SI4