NTD4909N-35G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

12.1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

8 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

17.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.6 W

Configurazione:

Separare

Serie:

NTD4909N

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Tempo di caduta:

2.3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

19 ns

Quantità confezione di fabbrica:

75

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

21 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

NTD4909, NTD490, NTD49, NTD4, NTD