2N5401TAR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3 Kinked Lead

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 150 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 160 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Corrente massima del collettore CC:

0.6 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

300 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2N5401

Guadagno di corrente CC hFE Max:

240

Altezza:

4.58 mm

Lunghezza:

4.58 mm

Confezione:

Pacchetto munizioni

Larghezza:

3.86 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

- 600 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

60

Pd - Dissipazione di potenza:

625 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.006286 oz

Tags

2N5401TA, 2N5401T, 2N5401, 2N540, 2N54, 2N5