IXFT86N30T

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-268-3

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

300 V

Id - Corrente di scarico continua:

86 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

43 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

180 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

830 W

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Altezza:

5.1 mm

Lunghezza:

16.05 mm

Serie:

IXFT86N30

Tipo:

Trench HiperFET Power MOSFET

Larghezza:

14 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

70 S

Tempo di caduta:

54 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

18 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

54 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

16 ns

Unità di peso:

0.158733 oz

Tags

IXFT8, IXFT, IXF