IXTA06N120P

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263AA-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1.2 kV

Id - Corrente di scarico continua:

600 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

34 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

13.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

42 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

4.5 mm

Lunghezza:

9.9 mm

Serie:

IXTA06N120

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

9.2 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

0.28 S

Tempo di caduta:

34 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

37 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

35 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

19 ns

Unità di peso:

0.081130 oz

Tags

IXTA06, IXTA0, IXTA, IXT