NGTB50N120FL2WAG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-247-4

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1200 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.8 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

200 A

Pd - Dissipazione di potenza:

536 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Serie:

NGTB50N120FL2WA

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

50 A

Marca:

ON Semiconductor

Corrente di dispersione gate-emettitore:

200 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

IGBT

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

NGTB50N1, NGTB5, NGTB, NGT