NSTB1005DXV5T1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-553-5

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

50 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.25 V

Serie:

NSTB1005DXV5

Guadagno di corrente CC hFE Max:

80 at 5 mA, 10 V at NPN

Altezza:

0.6 mm

Lunghezza:

1.7 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

0.1 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

80

Pd - Dissipazione di potenza:

357 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000099 oz

Tags

NSTB1005, NSTB1, NSTB, NST