BG 5130R E6327

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

25 mA

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

8 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363

Confezione:

Bobina

Configurazione:

Dual

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Tipo:

MOSFET a piccolo segnale RF

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

6 V

Unità di peso:

0.000212 oz

Tags

BG5130RE, BG5130, BG513, BG51, BG5