NSS20601CF8T1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

ChipFET-8

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

20 V

Collettore-tensione di base VCBO:

20 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

110 mV

Corrente massima del collettore CC:

8 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

140 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

NSS20601CF8

Altezza:

1.05 mm

Lunghezza:

3.05 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.65 mm

Marca:

ON Semiconductor

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200

Pd - Dissipazione di potenza:

1400 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Tags

NSS2, NSS