IXTA340N04T4

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

340 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.7 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

15 V

Qg - Carica cancello:

256 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

480 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Serie:

650V Ultra Junction X2

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

115 S

Tempo di caduta:

40 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

55 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

113 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

23 ns

Unità di peso:

0.077603 oz

Tags

IXTA34, IXTA3, IXTA, IXT