BC857SH6327XT

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

45 V

Collettore-tensione di base VCBO:

50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

250 mV

Corrente massima del collettore CC:

200 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

250 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

630

Confezione:

Bobina

Marca:

Tecnologie Infineon

Corrente continua del collettore:

100 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200

Pd - Dissipazione di potenza:

250 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

857S BC BC857SH6327XTSA1 H6327 SP000747456

Unità di peso:

0.000265 oz

Tags

BC857SH6327X, BC857SH63, BC857SH, BC857S, BC857, BC85, BC8