SN7002NH6327XTSA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

200 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.5 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

800 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

1.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

360 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Serie:

XN7002

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

90 mS

Tempo di caduta:

3.6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3.2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

5.3 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

2.4 ns

Parte # Alias:

H6327 SN7002N SN72NH6327XT SP000702638

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

SN7002NH63, SN7002NH, SN7002N, SN7002, SN700, SN70, SN7