CSD13306WT

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DSBGA-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

12 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

10.2 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

700 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

8.6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.9 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.62 mm

Lunghezza:

1.5 mm

Serie:

CSD13306W

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

1 mm

Marca:

Texas Instruments

Transconduttanza diretta - Min:

15 S

Tempo di caduta:

8 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

11 ns

Quantità confezione di fabbrica:

250

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

20 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns

Unità di peso:

0.000060 oz

Tags

CSD1330, CSD133, CSD13, CSD1, CSD