2SB1236ATV2Q

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 160 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 160 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 2 V

Corrente massima del collettore CC:

- 3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

50 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

180

Altezza:

4.4 mm

Lunghezza:

6.8 mm

Confezione:

Pacchetto munizioni

Larghezza:

2.5 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Corrente continua del collettore:

- 1.5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

82

Pd - Dissipazione di potenza:

10 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

transistor

Tags

2SB1236A, 2SB1236, 2SB123, 2SB12, 2SB1, 2SB