DMP56D0UFB-7B

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

X1-DFN1006-3

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

50 V

Id - Corrente di scarico continua:

200 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

6 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

580 pC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

425 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMP56

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

100 mS

Tempo di caduta:

15 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6.63 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

21.9 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.46 ns

Tags

DMP56D0UF, DMP56, DMP5, DMP