A2T21H360-23NR6

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Doppio canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

2.4 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

- 500 mV, 5 V

Guadagno:

16.8 dB

Potenza di uscita:

63 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

OM-1230-4

Confezione:

Bobina

Frequenza operativa:

2110 MHz to 2200 MHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

Semiconduttori NXP

Numero di canali:

2 Channel

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

150

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 6 V, 10 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

0.8 V

Parte # Alias:

935322358528

Unità di peso:

0.186807 oz

Tags

A2T21H3, A2T21H, A2T21, A2T2, A2T