NSS1C200MZ4T3G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-4

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

100 V

Collettore-tensione di base VCBO:

140 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

120 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

NSS1C200

Guadagno di corrente CC hFE Max:

150

Altezza:

1.57 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

3.5 mm

Marca:

ON Semiconductor

Guadagno base/collettore DC hfe min:

120

Pd - Dissipazione di potenza:

2000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.003951 oz

Tags

NSS1C200M, NSS1C200, NSS1C20, NSS1C2, NSS1C, NSS1, NSS