DMG6602SVTX-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSOT-26-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.4 A, 2.8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

60 mOhms, 95 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV, 1.8 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

13 nC, 9 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.12 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

4 S, 6 S

Tempo di caduta:

3 ns, 13 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5 ns, 7.3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

13 ns, 20 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3 ns, 4.8 ns

Tags

DMG6602, DMG66, DMG6, DMG