IPG20N04S4L08ATMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TDSON-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

20 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

7.2 mOhms, 7.2 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

16 V

Qg - Carica cancello:

39 nC, 39 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

54 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.27 mm

Lunghezza:

5.9 mm

Serie:

OptiMOS-T2

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

5.15 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

20 ns, 20 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3 ns, 3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

40 ns, 40 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns, 7 ns

Parte # Alias:

IPG20N04S4L-08 IPG2N4S4L8XT SP000705576

Unità di peso:

0.003415 oz

Tags

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