D1010UK

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Elettronica TT

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

20 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

70 V

Guadagno:

10 dB

Potenza di uscita:

125 W

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DR

Configurazione:

Dual

Altezza:

5.08 mm

Lunghezza:

34.03 mm

Frequenza operativa:

500 MHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Larghezza:

22.22 mm

Marca:

Semelab / TT Electronics

Modalità canale:

Aumento

Pd - Dissipazione di potenza:

389 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

10

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V to 7 V

Tags

D1010, D101, D10