STB9NK80Z

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

800 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.5 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.75 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

40 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

125 W

Configurazione:

Separare

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

SuperMESH

Confezione:

Bobina

Serie:

STB9NK80Z

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

22 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

12 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

45 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

20 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

STB9NK, STB9N, STB9, STB