FDMS8095AC

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

Power-56-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

150 V

Id - Corrente di scarico continua:

27 A, 2.2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

58 mOhms, 2.171 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V, 25 V

Qg - Carica cancello:

21 nC, 2.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

50 W, 12.5 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

PowerTrench

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.8 mm

Lunghezza:

6 mm

Serie:

FDMS8095AC

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Larghezza:

5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tempo di caduta:

4 ns, 6.3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2.7 ns, 1.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

18 ns, 7.4 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns, 5.2 ns

Unità di peso:

0.008818 oz

Tags

FDMS80, FDMS8, FDMS, FDM