CSD19536KTTT

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

272 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.4 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

118 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

375 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.7 mm

Lunghezza:

9.25 mm

Serie:

CSD19536KTT

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

10.26 mm

Marca:

Texas Instruments

Transconduttanza diretta - Min:

329 S

Tempo di caduta:

6 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

32 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

13 ns

Unità di peso:

0.068654 oz

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