RQ1C065UNTR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSMT-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

6.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

58 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

300 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

11 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.85 mm

Lunghezza:

3 mm

Prodotto:

MOSFET

Tipo di transistor:

1 N-channel

Tipo:

MOSFET di potenza

Larghezza:

2.4 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

6 S

Tempo di caduta:

25 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

30 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

70 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns

Parte # Alias:

RQ1C065UN

Tags

RQ1C06, RQ1C0, RQ1C, RQ1