2N5880

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-3-2

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

80 V

Collettore-tensione di base VCBO:

80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

4 V

Corrente massima del collettore CC:

15 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

4 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Serie:

2N5880

Confezione:

Tubo

Marca:

Semiconduttore centrale

Guadagno base/collettore DC hfe min:

20

Pd - Dissipazione di potenza:

160 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

20

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N5880 PBFREE

Unità di peso:

0.225789 oz

Tags

2N5880, 2N588, 2N58, 2N5