IPI110N20N3 G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-262-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

200 V

Id - Corrente di scarico continua:

88 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

10.7 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

65 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

300 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Tubo

Altezza:

9.45 mm

Lunghezza:

10.2 mm

Serie:

OptiMOS 3

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.5 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

11 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

26 nS

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

41 nS

Parte # Alias:

IPI110N20N3GAKSA1 IPI11N2N3GXK SP000714304

Unità di peso:

0.084199 oz

Tags

IPI110, IPI11, IPI1, IPI