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RN1313,LF

RN1313,LF
Mfr. #:
RN1313,LF
Produttore:
Toshiba
Descrizione:
Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT 0.1A 50V
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
RN1313,LF Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Toshiba
Categoria di prodotto:
Transistor bipolari - Pre-polarizzati
RoHS:
Y
Configurazione:
Separare
Polarità del transistor:
NPN
Resistenza di ingresso tipica:
47 kOhms
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
SOT-323-3
Guadagno base/collettore DC hfe min:
120
Frequenza operativa massima:
250 MHz
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:
50 V
Corrente continua del collettore:
100 mA
Corrente di picco del collettore CC:
100 mA
Pd - Dissipazione di potenza:
150 mW
Temperatura massima di esercizio:
+ 125 C
Serie:
RN1313
Confezione:
Bobina
Emettitore-tensione di base VEBO:
5 V
Marca:
Toshiba
Modalità canale:
Aumento
Corrente massima del collettore CC:
100 mA
Tipologia di prodotto:
BJT - Transistor bipolari - Prepolarizzati
Quantità confezione di fabbrica:
3000
sottocategoria:
transistor
Unità di peso:
0.000212 oz
Tags
RN1313, RN131, RN13, RN1
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Immagine Parte # Descrizione
RN1314TE85LF

Mfr.#: RN1314TE85LF

OMO.#: OMO-RN1314TE85LF-1190

 Nuovo e originale
RN1301LFCT-ND

Mfr.#: RN1301LFCT-ND

OMO.#: OMO-RN1301LFCT-ND-1190

 Nuovo e originale
RN1306LFDKR-ND

Mfr.#: RN1306LFDKR-ND

OMO.#: OMO-RN1306LFDKR-ND-1190

 Nuovo e originale
RN1306LFTR-ND

Mfr.#: RN1306LFTR-ND

OMO.#: OMO-RN1306LFTR-ND-1190

 Nuovo e originale
RN1308LFTR-ND

Mfr.#: RN1308LFTR-ND

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 Nuovo e originale
RN1311LF-ND

Mfr.#: RN1311LF-ND

OMO.#: OMO-RN1311LF-ND-1190

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RN1314(TE85LF)DKR-ND

Mfr.#: RN1314(TE85LF)DKR-ND

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RN1317(TE85LF)CT-ND

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OMO.#: OMO-RN1317-TE85LF-CT-ND-1190

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RN1304RXGF

Mfr.#: RN1304RXGF

OMO.#: OMO-RN1304RXGF-1190

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RN1317

Mfr.#: RN1317

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