DMG5802LFX-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

W-DFN5020-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

24 V

Id - Corrente di scarico continua:

6.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

11 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

600 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

31.3 nC, 31.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

980 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMG5802

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

22.45 ns, 22.45 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

13.43 ns, 13.43 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

32.18 ns, 32.18 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.69 ns, 3.69 ns

Unità di peso:

0.000600 oz

Tags

DMG5, DMG