BUH51

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-225-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

500 V

Collettore-tensione di base VCBO:

800 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

10 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.3 V

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

23 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Altezza:

11.04 mm (Max)

Lunghezza:

7.74 mm (Max)

Confezione:

Massa

Larghezza:

2.66 mm (Max)

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

3 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

8

Pd - Dissipazione di potenza:

50 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.068784 oz

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BUH51, BUH5, BUH