ALD1108EPCL

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Dispositivi lineari avanzati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

PDIP-16

Numero di canali:

4 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

10 V

Id - Corrente di scarico continua:

3 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

500 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

990 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Temperatura di esercizio minima:

0 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 70 C

Pd - Dissipazione di potenza:

600 mW

Configurazione:

Quad

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

ALD1108EP

Tipo di transistor:

4 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Marca:

Dispositivi lineari avanzati

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

25

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.036156 oz

Tags

ALD1108E, ALD1108, ALD110, ALD11, ALD1, ALD