FDFMA2P029Z-F106

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

MicroFET-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

60 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

10 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.4 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

FDFMA2P029Z

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

- 11 S

Tempo di caduta:

36 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

11 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

37 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

13 ns

Parte # Alias:

FDFMA2P029Z_F106

Tags

FDFMA2P029Z, FDFMA2P0, FDFMA2P, FDFMA2, FDFMA, FDFM, FDF