IPB17N25S3-100

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PG-TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

250 V

Id - Corrente di scarico continua:

17 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

100 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

14 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

107 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.4 mm

Lunghezza:

10 mm

Serie:

IPB17N25

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

9.25 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

1.2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3.7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

7.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.4 ns

Parte # Alias:

IPB17N25S3100ATMA1 IPB17N25S31XT SP000876560

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

IPB1, IPB