IXTJ4N150

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1.5 kV

Id - Corrente di scarico continua:

2.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

6 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

44.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

110 W

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

21.34 mm

Lunghezza:

6.13 mm

Serie:

IXTJ4N150

Tipo:

MOSFET di potenza ad alta tensione

Larghezza:

5.21 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

2.8 S

Tempo di caduta:

22 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

23 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

42 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

19 ns

Unità di peso:

0.056438 oz

Tags

IXTJ, IXT