SIR170DP-T1-RE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

95 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

- 5.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

93 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Modalità canale:

esaurimento

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Marca:

Vishay / Siliconix

Tempo di caduta:

8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

43 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns

Tags

SIR17, SIR1, SIR