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MG12150S-BN2MM

MG12150S-BN2MM
Mfr. #:
MG12150S-BN2MM
Produttore:
Littelfuse
Descrizione:
IGBT Modules 1200V 150A Dual
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
MG12150S-BN2MM Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
MG12150S-BN2MM maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Littelfuse
Categoria di prodotto:
Moduli IGBT
RoHS:
Y
Prodotto:
Moduli di silicio IGBT
Configurazione:
Dual
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:
1200 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:
1.7 V
Corrente continua del collettore a 25 C:
200 A
Corrente di dispersione gate-emettitore:
400 nA
Pd - Dissipazione di potenza:
625 W
Pacchetto/custodia:
Pacchi
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 125 C
Confezione:
Massa
Serie:
MG12150S
Marca:
Littelfuse
Stile di montaggio:
Montaggio su telaio
Tensione massima dell'emettitore di gate:
20 V
Tipologia di prodotto:
Moduli IGBT
Quantità confezione di fabbrica:
100
sottocategoria:
IGBT
Unità di peso:
5.643834 oz
Tags
MG12150, MG1215, MG121, MG12, MG1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
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    2019-04-23
    S***e
    S***e
    IN

    Product not received got refund

    2019-02-19
***i-Key
IGBT 1200V 200A 625W PKG S
***ronik
IGBT 1200V 150A 1.7V
***
1200V 150A S-PACKAGE
***ark
Igbt Module, Dual Npn, 1.2Kv, 200A; Transistor Polarity:dual Npn; Dc Collector Current:200A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.7V; Power Dissipation Pd:625W; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:1.2Kv; No. Of Pins:7Pins Rohs Compliant: Yes
Silicon IGBT Power Modules
Littelfuse Silicon IGBT Power Modules ensure high efficiency and fast switching by combining simple MOSFET gate-drive with the high current and low saturation voltage switching capability of bipolar transistors. These features make them well-suited for a wide range of power conversion applications. In addition, the positive temperature coefficient of the modules allows for ease in paralleling to boost the current capability of the system. The modules are rated up to 1700V and 600A in industry standard packages and common topologies.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
MG12150S-BN2MM
DISTI # F6498-ND		Littelfuse IncIGBT 1200V 200A 625W PKG S
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk		36In Stock
  • 100:$76.3830
  • 25:$80.9096
  • 10:$84.8700
  • 1:$90.5300
MG12150S-BN2MM
DISTI # 576-MG12150S-BN2MM		Littelfuse IncIGBT Modules 1200V 150A Dual
RoHS: Compliant		0
  • 1:$90.5300
  • 5:$87.7300
  • 10:$84.8700
  • 25:$82.0400
  • 50:$80.9100
MG12150S-BN2MMLittelfuse IncIGBT Modules 1200V 150A DualAmericas -
    Immagine Parte # Descrizione
    MG12150S-BN2MM

    Mfr.#: MG12150S-BN2MM

    OMO.#: OMO-MG12150S-BN2MM

    		 IGBT Modules 1200V 150A Dual
    MG12150W-XN2MM

    Mfr.#: MG12150W-XN2MM

    OMO.#: OMO-MG12150W-XN2MM

    		 IGBT Modules 1200V 150A IGBT
    MG12150D-BA1MM

    Mfr.#: MG12150D-BA1MM

    OMO.#: OMO-MG12150D-BA1MM

    		 IGBT Modules 1200V 150A Dual
    MG12150S-DEN2MM

    Mfr.#: MG12150S-DEN2MM

    OMO.#: OMO-MG12150S-DEN2MM

    		 IGBT Modules 1200V 150A IGBT Module Package S CKT DE
    MG12150S-BN2MM

    Mfr.#: MG12150S-BN2MM

    OMO.#: OMO-MG12150S-BN2MM-LITTELFUSE

    		 IGBT Modules 1200V 150A Dual
    MG12150W-XN2MM

    Mfr.#: MG12150W-XN2MM

    OMO.#: OMO-MG12150W-XN2MM-LITTELFUSE

    		 IGBT Modules 1200V 150A IGBT
    MG12150D-BA1MM

    Mfr.#: MG12150D-BA1MM

    OMO.#: OMO-MG12150D-BA1MM-LITTELFUSE

    		 IGBT Modules 1200V 150A Dual
    Disponibilità
    Azione:
    100
    Su ordine:
    2083
    Inserisci la quantità:
    Il prezzo attuale di MG12150S-BN2MM è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
    Prezzo di riferimento (USD)
    Quantità
    Prezzo unitario
    est. Prezzo
    1
    90,53 USD
    90,53 USD
    5
    87,73 USD
    438,65 USD
    10
    84,87 USD
    848,70 USD
    25
    82,04 USD
    2 051,00 USD
    50
    80,91 USD
    4 045,50 USD
    A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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