CSD85301Q2T

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

WSON-FET-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

27 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

600 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

5.4 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.3 W

Configurazione:

Dual

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.75 mm

Lunghezza:

2 mm

Serie:

CSD85301Q2

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

2 mm

Marca:

Texas Instruments

Tempo di caduta:

15 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

26 ns

Quantità confezione di fabbrica:

250

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

14 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6 ns

Unità di peso:

0.000342 oz

Tags

CSD8530, CSD85, CSD8, CSD