IPP50R190CE

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

PG-TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Id - Corrente di scarico continua:

24.8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

190 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

13 V

Qg - Carica cancello:

47.2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

152 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

CoolMOS

Confezione:

Tubo

Altezza:

15.65 mm

Lunghezza:

10 mm

Serie:

CoolMOS CE

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.4 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

7.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

54 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9.5 ns

Parte # Alias:

IPP50R190CEXKSA1 SP000850802

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

IPP50R190, IPP50R19, IPP50R1, IPP50R, IPP50, IPP5, IPP