NVHL025N65S3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

75 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

25 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

236 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

595 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

SuperFET

Confezione:

Tubo

Serie:

SPM3

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

78.5 S

Tempo di caduta:

107 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

109 ns

Quantità confezione di fabbrica:

450

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

120 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

43.3 ns

Tags

NVHL0, NVHL, NVH