MJD200RLG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

25 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

8 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.8 V

Corrente massima del collettore CC:

5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

65 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

MJD200

Altezza:

2.38 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

70

Pd - Dissipazione di potenza:

12.5 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1800

sottocategoria:

transistor

Tags

MJD200, MJD20, MJD2, MJD