TH58DVG5S0ETA2

TH58DVG5S0ETA2
Mfr. #:
TH58DVG5S0ETA2
Produttore:
Toshiba Memory
Descrizione:
NAND Flash 32Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
TH58DVG5S0ETA2 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Toshiba
Categoria di prodotto:
NAND Flash
RoHS:
Y
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
TSOP-48
Dimensione della memoria:
32 Gbit
Tipo di interfaccia:
Parallelo
Organizzazione:
4 G x 8
Tipo di temporizzazione:
Sincrono
Larghezza bus dati:
8 bit
Tensione di alimentazione - Min:
2.7 V
Tensione di alimentazione - Max:
3.6 V
Corrente di alimentazione - Max:
30 mA
Temperatura di esercizio minima:
0 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 70 C
Confezione:
Vassoio
Tipo di memoria:
NAND
Prodotto:
NAND Flash
Velocità:
25 ns
Architettura:
Cancella blocco
Marca:
Memoria Toshiba
Frequenza massima di clock:
-
Sensibile all'umidità:
Tipologia di prodotto:
NAND Flash
Quantità confezione di fabbrica:
96
sottocategoria:
Memoria e archiviazione dati
Tags
TH58DVG5, TH58DV, TH58D, TH58, TH5
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
***et
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
TH58DVG5S0ETA2
DISTI # TH58DVG5S0ETA2
Toshiba America Electronic ComponentsTOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS - Trays (Alt: TH58DVG5S0ETA2)
RoHS: Compliant
Min Qty: 96
Container: Tray
Americas - 0
    TH58DVG5S0ETA2
    DISTI # 757-TH58DVG5S0ETA2
    Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 32Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
    RoHS: Compliant
    0
      Immagine Parte # Descrizione
      TH58DVG5S0ETA2

      Mfr.#: TH58DVG5S0ETA2

      OMO.#: OMO-TH58DVG5S0ETA2

      NAND Flash 32Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
      TH58DVG5S0ETA2

      Mfr.#: TH58DVG5S0ETA2

      OMO.#: OMO-TH58DVG5S0ETA2-1151

      Flash Memory 32Gb IC Flash NAND EEPROM
      TH58DVG02A1FT00

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      OMO.#: OMO-TH58DVG02A1FT00-1190

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