CMPDM203NH TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23F

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

33 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

600 mV

Qg - Carica cancello:

6.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

350 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

CMPDM2

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconduttore centrale

Transconduttanza diretta - Min:

10.5 S

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

22.8 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6 ns

Parte # Alias:

CMPDM203NH PBFREE TR

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

CMPDM, CMPD, CMP