AFT18P350-4S2LR6

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

1 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

65 V

Guadagno:

16.1 dB

Potenza di uscita:

63 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

NI-1230-4

Confezione:

Bobina

Configurazione:

Separare

Frequenza operativa:

1805 MHz to 1880 MHz

Serie:

AFT18P350_4S2L

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

NXP / Freescale

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

150

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

1.2 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.9 V

Parte # Alias:

935317727128

Unità di peso:

0.300472 oz

Tags

AFT18, AFT1, AFT