BD435S

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-126-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

32 V

Collettore-tensione di base VCBO:

32 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.2 V

Corrente massima del collettore CC:

4 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

3 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

BD435

Altezza:

11 mm

Lunghezza:

8 mm

Confezione:

Massa

Larghezza:

3.25 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

4 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

40

Pd - Dissipazione di potenza:

36 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

BD435S_NL

Unità di peso:

0.026843 oz

Tags

BD435, BD43, BD4