RDN100N20

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

200 V

Id - Corrente di scarico continua:

10 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

360 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

35 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Massa

Altezza:

8 mm

Lunghezza:

10 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.5 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

26 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

29 ns

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

38 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

13 ns

Parte # Alias:

RDN100N20FU6

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

RDN100N, RDN10, RDN1, RDN