FGA20S125P-SN00336

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-3PN

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1250 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

25 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

40 A

Pd - Dissipazione di potenza:

250 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Serie:

FGA20S125P

Confezione:

Tubo

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente di dispersione gate-emettitore:

500 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

450

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

FGA20S125P_SN00336

Unità di peso:

0.225753 oz

Tags

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